X射线平板探测器，广泛应用于在安防、工业及医疗等方面。在医疗领域，更是囊括了除CT外的所有X线设备，包括DR、DRF(动态DR)、DM(乳腺)、CBCT(牙科CT)、DSA(介入、血管)、C型臂(外科)等等。
CMOS探测器，即互补金属氧化物半导体，是组成芯片的基本单元。CMOS技术听着很高级，其实离我们很近，几乎所有手机的摄像头都是基于CMOS图像传感器芯片，与CMOS平板异曲同工。
如果说制作TFT探测器像造电视，那么制作CMOS探测器更像造芯片。因为，与非晶硅/IGZO探测器的玻璃衬底不同，CMOS探测器的衬底是单晶硅，其电子迁移率是1400cm^2/VS，这是制作晶圆的重要材料。
Q1 怎么非晶硅、IGZO和CMOS都提及电子迁移率，这么重要吗？
无论何种技术，都希望电子迁移率越快越好。因此，电子迁移率高，单个晶体管就可以做得更小，使显示像素更小，图像空间分辨率更高。
举个形象的栗子，如果希望在规定时间内运输足够多的煤炭到另一个城市，如果火车速度慢，就得多轨道多火车同时运输，显然这样非常占地方(空间分辨率低)；如果车速足够快，单节小火车也能搞定(空间分辨率高)。所以，“幸好”CMOS探测器比较贵，否则就没其他技术啥事儿了。
Q2 那为什么CMOS探测器比较贵？
非晶硅/IGZO探测器的衬底是便宜的玻璃或者塑料，而CMOS探测器的衬底是昂贵的单晶硅晶圆；基于TFT的探测器可以实现低温制备，而基于CMOS探测器的制备工艺温度更高更复杂。
举个例子，一台65寸的液晶电视才3000多元，而一片Inter i9 CPU（尺寸：37.5mm x 37.5mm）同样高达3000多元，一个20*20cm的CMOS平板的面积是一片i9 CPU的1000多倍。所以，CMOS平板探测器比较贵，不过大家都知道贵有贵的好。
所谓CMOS平板探测器，是指在一块晶圆上集成光电二极管、寻址电路，以及更重要的放大器(这是与非晶硅/IGZO探测器的最大区别)，将信号放大后再传输到外面。因此，具有明显优于非晶硅探测器的低剂量DQE和更高的采集速度。
非晶硅和CMOS信噪对比
由于单晶硅的电子迁移速率更快，可以在光电二极管旁边增加放大器电路，将信号放大后再传输到外面，这是CMOS平板与非晶硅或IGZO平板的最大区别。因此，CMOS探测器具有明显优于非晶硅/IGZO探测器的高分辨率、高采集速度、高低剂量DQE。
三种探测器参数对比
