首先，郭刚研究员代表中心致欢迎词，并就于庆奎研究员对抗辐照中心工作的支持表示衷心的感谢。于庆奎研究员做了题为《宇航用SiC功率器件辐射效应研究进展》的学术报告，对核工业及宇航任务对SiC器件的需求背景、SiC器件辐射效应研究、抗辐射加固保证方法、抗辐射加固技术研究以及未来发展等多个方面进行了详细的介绍。接着，全体参会人员针对报告内容进行了深刻且积极的交流与讨论，加深了对SiC功率器件辐射效应及抗辐射加固保证工作的理解。
与传统Si材料相比，SiC材料拥有禁带宽度大、临界位移能大、载流子漂移速度高、热导率高等独特优点，基于SiC材料制备的功率器件在高温、高压、大功率、低功耗等应用方面也具有突出优势。目前，SiC功率器件在智能汽车、智能电网等领域有了广泛应用。随着新一代航天器的性能不断提升，额定电压1200V及以上的SiC功率器件也被认为是最具应用潜质的半导体功率器件。但大量研究数据表明，SiC功率器件展现出了抗辐射能力较差的现象，严重限制其在核工业和空间领域等高辐射环境下的应用，亟需深入探究SiC功率器件辐射效应的机理、试验方法以及抗辐射加固技术，为核工业及航天的发展提供重要的技术保障。
