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抗辐照应用技术创新中心加固技术机理部举办学术交流会

抗辐照技术 辐射效应
发布:2021-04-10 15:10:45     来源:抗辐照应用技术创新中心
2021年4月6日,应中国原子能科学研究院核物理所副所长、国防科技工业抗辐照应用技术创新中心(以下简称抗辐照中心)副主任郭刚研究员邀请,中国空间技术研究院、抗辐照中心加固技术机理部学术技术带头人于庆奎研究员来抗辐照中心进行学术交流。模拟试验技术部、加固技术机理部科研人员,以及抗辐照中心执行机构人员,共计20余人参加了本次交流。
 
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于庆奎研究员是元器件辐射效应方面资深专家,长期从事元器件辐射效应研究及航天器用元器件抗辐射保证工作。本次交流的主要目的是了解核工业及宇航用SiC功率器件辐射效应研究现状,分析SiC功率器件辐射损伤效应机理,共同探讨SiC功率器件抗辐射加固技术发展方向,为保障核工业及宇航任务中的SiC功率器件抗辐照应用持续发展提供技术支持。
首先,郭刚研究员代表中心致欢迎词,并就于庆奎研究员对抗辐照中心工作的支持表示衷心的感谢。于庆奎研究员做了题为《宇航用SiC功率器件辐射效应研究进展》的学术报告,对核工业及宇航任务对SiC器件的需求背景、SiC器件辐射效应研究、抗辐射加固保证方法、抗辐射加固技术研究以及未来发展等多个方面进行了详细的介绍。接着,全体参会人员针对报告内容进行了深刻且积极的交流与讨论,加深了对SiC功率器件辐射效应及抗辐射加固保证工作的理解。
 
 
与传统Si材料相比,SiC材料拥有禁带宽度大、临界位移能大、载流子漂移速度高、热导率高等独特优点,基于SiC材料制备的功率器件在高温、高压、大功率、低功耗等应用方面也具有突出优势。目前,SiC功率器件在智能汽车、智能电网等领域有了广泛应用。随着新一代航天器的性能不断提升,额定电压1200V及以上的SiC功率器件也被认为是最具应用潜质的半导体功率器件。但大量研究数据表明,SiC功率器件展现出了抗辐射能力较差的现象,严重限制其在核工业和空间领域等高辐射环境下的应用,亟需深入探究SiC功率器件辐射效应的机理、试验方法以及抗辐射加固技术,为核工业及航天的发展提供重要的技术保障。
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