研究人员开发了新的方法，以探测拓扑绝缘体中的强场物理学。
图片来源：Greg Stewart, SLAC National Accelerator Laboratory
美国能源部国家加速器实验室和斯坦福大学的研究人员开发了新的方法，以探测拓扑绝缘体中的强场物理学：使用中红外激光穿过三维拓扑绝缘体(Bi2Se3)来激发高次谐波产生(HHG)，并分析被转换至更高能量和频率的出射光。所得谐波呈现随激光场椭圆率增加而单调下降的特征，表面贡献表现出高度非平凡的依赖性，对于圆极化最大。这一发现证实了拓扑绝缘体中产生 HHG 的潜力，是首次在量子材料中进行的此类研究，为继续探索量子材料中的 HHG 现象奠定了基础。该研究于 2 月 2 日在《物理评论 A》(Physics Review A)发表。拓扑绝缘体中的光-物质相互作用的强场机制是物理学家关注的焦点，利用这种机制有望制成拓扑绝缘体器件，在量子计算机中具有良好前景。
